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半导体激光治疗仪研制成功
时间：2002-01-08 00:05:00
珠海市和佳医疗设备有限公司最近推出HGSL-111半导体激光治疗仪。
该仪的激光物质为砷化铝镓GaALAS，波长为650—830nm。该波长的穿透力比NdiYAG激光约深1.3倍，比He-Na激光约深2倍，比氩激光约深5倍。照射时可深入皮下50—70mm，能有效作用于人体深部病变组织及经络穴位，迅速产生止痛、消炎、修复及脱敏作用。它的损伤阈值高，安全性强。 该仪器操作简单，移动方便，可用于疼痛科、骨科、口腔科、神经科、皮肤科、妇儿科等。可在门诊、病房、出诊、社区医疗等广泛使用。/**/
该仪的激光物质为砷化铝镓GaALAS，波长为650—830nm。该波长的穿透力比NdiYAG激光约深1.3倍，比He-Na激光约深2倍，比氩激光约深5倍。照射时可深入皮下50—70mm，能有效作用于人体深部病变组织及经络穴位，迅速产生止痛、消炎、修复及脱敏作用。它的损伤阈值高，安全性强。 该仪器操作简单，移动方便，可用于疼痛科、骨科、口腔科、神经科、皮肤科、妇儿科等。可在门诊、病房、出诊、社区医疗等广泛使用。/**/
